在全球争夺AI基础设施产能背景下，越来越多存储芯片品类开始面临紧俏行情 ，产能转移造成的供需缺口正在持续放大 。

在三星 、铠侠
、美光等国际大厂集体退出MLC（Multi-Level Cell，多层单元） NAND闪存市场的背景下 ，这一曾经不起眼的“老兵 ”
，产品价格近期暴涨300%
。由此造成的供应缺口，正对汽车电子、工业控制 、医疗设备等产业造成潜在影响。

NAND行业的发展规律是通过纵向堆叠来进行扩容 ，MLC正如其名
，一般采用二维平面堆叠方式，也就是2D NAND 。目前行业主流已经迭代到TLC（Triple-Level Cell ，三层单元）和QLC（Quad-Level Cell，四层单元）阶段
，也就是进入3D NAND维度
。

因此不难发现，上游存储供应商决定将MLC逐渐停产 ，有基于产品自身迭代的因素考量
，也有将更多产能留给利润空间更高的产品的考虑。随着海外大厂陆续停产，也为国内产业链厂商带来一定发展机会 。

涨价传导 ，供应断层

上游存储原厂在整体产能有限条件下
，正退出一些薄利市场，MLC NAND就在此之列
。

近期 ，Kioxia（铠侠）宣布停产部分旧制程产品
，其中小容量TSOP封装产品
、部分传统浮栅式（Floating Gate）2D NAND以及第三代BiCS FLASH产品将逐步退出市场。

TSOP封装主要用于低容量MLC NAND Flash存储器，有观点认为 ，此次铠侠宣布停产
，意味着其或将退出该市场 。

对此，铠侠中国区董事长兼总裁岡本成之近日回应道 ，这是基于新旧技术更替的考虑，也是行业普遍现象。

不止铠侠
，此前三星、SK海力士和美光，也陆续宣布 ，MLC相关产品进入生命周期终结阶段
，相关产线不再扩产
。

据研究机构TrendForce集邦咨询调查，SK海力士和美光基本将MLC产量限制在满足现有客户需求的水平 ，缺乏扩产动力。因此
，2026年全球MLC NAND闪存产能预计将同比下降41.7%，进一步加剧供需失衡 。

一名存储行业从业者也向21世纪经济报道记者分析 ，产业链上游的存储原厂在技术迭代和利润目标驱动下
，根据生命周期管理需要，对落后制程的产品进行淘汰 ，是行业性正常的产品开发行为
。同时
，将优质产能集中于企业级等高附加值领域也是普遍趋势。

在产能极为有限的背景下，MLC NAND这类“高龄
”产品的价格反而开始大幅上扬 。

CFM闪存市场分析师杨伊婷告诉21世纪经济报道记者 ，消费类MLC eMMC原厂供应基本已经停止，三星车规级MLC明年一季度停止供应
，使得现货市场MLC eMMC价格涨幅剧烈，8GB eMMC最高出现110美元的极端价格
。

Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi也对21世纪经济报道记者指出 ，其月度存储追踪数据（Monthly Memory Tracker）显示
，MLC NAND价格同比上涨约300%。以16Gb MLC NAND为例，价格从2025年一季度的约3.2美元上涨至预计2026年二季度的约12.9美元 。

“这一轮价格上涨主要由MLC产品持续退市（EOL）所引发的供需失衡推动
。”Jeongku Choi进一步指出 ，当前MLC NAND价格快速上涨的核心原因在于退市节奏明显加快。“从过去情况来看
，EOL通常会在数年时间内逐步完成，但本轮MLC NAND的退出周期被压缩至约一年内完成 。同时 ，AI需求快速增长推动产能向服务器相关产品倾斜
，进一步加剧了MLC供应紧张
。 ”

MLC NAND的终端需求主要来自工控 、车用电子
、医疗设备和网通等领域，这些应用对产品可靠度、写入寿命 、长期供货承诺要求极为严格。其中 ，汽车行业受影响最为明显 。

杨伊婷对21世纪经济报道记者指出
，车规级MLC eMMC应用主要在T-BOX、仪表
、HUD、中低端座舱等领域。“一般使用MLC的地方对性能容量要求低，基本不需要用到大容量UFS ，够用即可
。而车规级芯片和模块验证周期很长，且车规级零部件量产生命周期至少在3—5年
，汽车以年为单位与原厂谈年价和供应，对AI存储供需的即时变化并不敏感 ，此前一度低估了存储供应短缺的严重程度
，以及原厂停止MLC产线集中产能做高价值服务器存储的决心，使得汽车在存储涨价 、缺货中受到的冲击最为明显。
”

国产补位 ，商用转移

面对MLC供应断层
，部分具备承接能力的厂商已开始行动 。

TrendForce集邦咨询表示，因为MLC NAND Flash长期供货的供应体系出现断层 ，长期聚焦嵌入式与高可靠度存储器市场的旺宏
，相对具备承接这项利基型需求的优势
。旺宏已减少原有NOR Flash产能，以扩大MLC NAND Flash供应。

Jeongku Choi则对记者指出 ，当前2D NAND供给缺口较难完全填补 。“国内厂商中
，长江存储（YMTC）具备相对最大的可用产能，但其同样将优先满足服务器端对TLC与QLC产品的需求 ，以抓住AI带来的结构性机会，因此可用于缓解MLC短缺的空间有限
。”

当然按照常规
，终端市场终究会逐渐采用新一代技术和产品，因此转向更高工艺制程的TLC产品正成为趋势。

杨伊婷对记者表示 ，除铠侠继续供应车规级eMMC至2028年以外
，国内存储厂商MLC也在通过自行设计及流片尝试填补部分供应缺口，同时汽车将加速64GB TLC eMMC/UFS的验证使用 。

“下游MLC NAND应用确实将逐步向TLC迁移
。 ”Jeongku Choi对记者指出 ，与仍在汽车等长生命周期基础设施中保持重要性的传统DRAM不同
，MLC NAND在性能上已被SLC超越，在成本效率上又被TLC和QLC取代 ，其竞争优势正在被双向压缩。

“下游市场已开始向TLC和QLC迁移以降低成本
，而随着上游MLC供应持续收紧，这一替代趋势预计将进一步加速 。
”但他也提到 ，由此带来的BOM成本上升
，将压缩下游厂商利润，其中以服务网络设备厂商及大型OEM的工业与嵌入式供应商受影响最为明显
。

集邦咨询也提到 ，长期来看，MLC NAND的主要终端市场成长幅度有限
，且若部分应用加速导入强化版TLC解决方案，或整体NAND Flash市场景气明显反转 ，MLC产品价格仍可能间接承压。

从“大宗商品”到“利基奢侈品 ”
，MLC NAND的命运变迁是AI时代存储产业资源再分配的一个缩影 。上游原厂在资本支出和洁净室空间有限的前提下，毅然将产能向HBM
、高层数3D NAND等更高利润产品倾斜 ，而曾经支撑汽车、工控 、医疗等实体产业稳定运行的成熟存储产品
，则因单位产值低而被加速淘汰。

这一趋势短期内难以逆转，下游终端市场不得不加速技术替代和供应链重构
。

对于国内存储厂商而言 ，能否在海外巨头退出的间隙中
，以稳定的供货能力和可靠的产品质量赢得客户信任，并在专利壁垒之下找到自主创新的突破口 ，将决定中国存储产业在这场全球格局重塑中能否真正站稳脚跟。

（作者：骆轶琪 编辑：包芳鸣）